糖心

电压试验中的假击穿现象是指在高电压施加过程中，试品未发生实质性绝缘破坏，但测试系统因非绝缘失效因素误判为击穿的现象。此类现象多由测试环境干扰、试品表面特性或测试系统自身缺陷引起，可能导致试验结论误判，需结合多维度分析进行甄别。

假击穿的产生机理主要包括以下方面：首先，测试系统存在局部放电干扰，例如电极接触不良、试品表面污染或受潮时，会在电场集中区域产生重复性表面放电，形成脉冲电流信号，其幅值与波形特征易被误判为击穿；其次，电磁兼容性问题（如空间电磁干扰、接地环路感应电流）会引入高频噪声，导致测量回路出现异常信号跃变；此外，试品内部气隙或分层结构在电场作用下可能发生局部电离，产生瞬时导电通道，但未形成贯穿性破坏路径。值得注意的是，某些高分子材料在高压下发生极化电流突变或介质损耗激增时，也可能引发误判。

与真击穿相比，假击穿具有可逆性与非破坏性特征。真击穿通常伴随不可逆的绝缘结构损伤，击穿点呈现碳化通道或熔融痕迹，击穿后绝缘电阻显着下降且无法恢复；而假击穿后试品电气性能可自行恢复，重复试验时击穿电压无明显规律性偏移。从信号特征分析，真击穿电流波形呈指数衰减且持续时间较长（&驳迟;100μ蝉），而假击穿多为持续时间短（&濒迟;10μ蝉）的离散脉冲群，且脉冲幅值分布具有随机性。

为有效抑制假击穿干扰，需采取综合措施：①优化测试环境，控制相对湿度≤40%，清洁试品表面并预干燥处理；②采用屏蔽室与双屏蔽电缆，在测量回路增设搁颁滤波网络；③选用陡前沿抑制型高压电极，通过倒角设计降低表面场强；④实施多参数同步监测，结合局部放电谱图、电流谐波分量及红外热成像进行联合诊断。对于复合绝缘材料，建议采用阶梯升压法并延长耐压时间，以区分瞬时放电与真实击穿。通过上述技术手段，可显着提高电压试验结果的有效性，为绝缘性能评估提供可靠依据。